Cel ćwiczenia
Poznanie własności warstwowych złącz półprzewodnikowych typu p-n. Wyznaczenie i analiza charakterystyk stałoprądowych dla różnych typów diod.
Wprowadzenie
Nośnikami prądu w półprzewodnikach są elektrony i dodatnio naładowane kwazicząstki zwane dzuirami. W półprzewodniku samoistnym (bez domieszek obcych atomów) koncentracje elektronów n i dziur p są równe (ćw. 122). Prawie wszystkie zastosowania półprzewodników wymagają zastosowania domieszek, modyfikujących własności elektronowe materiału wyjściowego. Fizyka związanych z tym zjawisk jest bardzo bogata − tekst wprowadzenia przedstawia tylko wybrane elementy teorii, potrzebne do interpretacji wyników pomiarów. Efektem bogactwa zjawisk zjawisk jest ilość i różnorodność zastosowań w elektronice.
